l 單源供電
‐ 5.5~40V
‐ 集成 LDO (內(nèi)核 1.2V,IO 5V,模擬 3.0V)
‐ 集成 POR、BOR 電路
‐ 集成電荷泵電路
l 雙高性能 32 位定點(diǎn) DSP 內(nèi)核
‐ 主頻最高 100MHz
‐ 16×16、32×32 MAC 操作
‐ 16×16 雙 MAC 操作
‐ 哈佛(Harvard)總線結(jié)構(gòu)
‐ 快速中斷響應(yīng)和處理
l 雙可編程控制律加速單元(CLA)
‐ 32 位浮點(diǎn)加速運(yùn)算器
‐ 加速代碼與CPU代碼并行執(zhí)行
l 片內(nèi)存儲(chǔ)器資源
‐ 2 x (18K x 16 位) SARAM
‐ 2 x (64K x 16 位) Flash
‐ 2 x (8K x 16 位) BootROM
l 128位安全密匙
l ADC
‐ 12 位 SAR,轉(zhuǎn)換速率 4MSPS
‐ 2 x 15 通道,帶 2 個(gè)溫度傳感器通道
‐ 輸入范圍 0~3V,內(nèi)部基準(zhǔn)
l 運(yùn)算放大器
‐ 2 x 1 個(gè) OP,可用于母線電流檢測(cè)放大
‐ 2 x 3 個(gè) PGA,可用于相電流檢測(cè)放大
l 2個(gè)集成三相高、低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)電路
‐ 2 x 6 路 NMOSPre-Driver
‐ 高側(cè) VCP 供電,無(wú)需額外自舉電路
‐ 低側(cè) VGL 供電,驅(qū)動(dòng)電壓穩(wěn)定
‐ 帶 GDF、VDS、OTP 故障保護(hù)
l 電壓比較器
‐ 2 x 3 個(gè)電壓比較器
‐ 外部或內(nèi)置 8bitDAC 電壓參考,
‐ 輸出關(guān)聯(lián) TZ,支持逐周期封波保護(hù)
l 增強(qiáng)型控制外設(shè)
‐ 2 x 3 個(gè) 32 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器
‐ 2 x 5 個(gè) 16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器
‐ 19 路 PWM 輸出(內(nèi)部 12 路控制 2x6NMOS
‐ 2 x 2 個(gè)捕獲單元(HRCAP1)
l 中斷
‐ 最多 2 x 42 個(gè)由 PIE 設(shè)置的中斷
l 串行通訊外設(shè)
‐ 2 x 1 通道 SPI
‐ 2 x 1 通道 IIC
‐ 2 x 1 通道 CAN/ CANFD
‐ 2 x 1 個(gè) LIN/SCI 控制器
‐ 2 x 1 個(gè) LIN 收發(fā)器,支持休眠和遠(yuǎn)程喚醒
l IO
‐ 17+14 個(gè)通用 IO
l 時(shí)鐘
‐ 2 個(gè) 10M 片內(nèi)振蕩器
‐ 石英晶體振蕩器/外部輸入模式
‐ PLL 倍頻系數(shù) 1x~12x
l 支持 WDT
l 支持 JTAG 在線仿真
‐ 分析和斷點(diǎn)功能
‐ 基于硬件的實(shí)時(shí)調(diào)試
l QFN128 12.3X12.3 封裝
l 溫度范圍 -40℃~+125℃
l 通過(guò) AEC-Q100 認(rèn)證
l 功能安全等級(jí) ASIL B